1 前言集成电路芯片在不断地微型化,从上世纪年代每个芯片上仅有几十个器件,发展到现在每个芯片上可包含约亿个器件。一直以来决定着集成电路微型化进程的重要因素就是光刻技术的发展。光刻技术不仅是集成电路产业发展的关键技术之一,同时也是整个制造工艺中最重要的经济影响因子,其成本占据了整个制造成本的随着集成电路由微米级向纳米级发展,光刻采用的光波波长也从近紫外()区间的波长进入到深紫外()区间的波长。然而,采用波长的光刻工艺单次曝光已经无法制备以下的器件,此时,业界提出了一系列可能的解决方案,包括电子束直写、纳米压印、双重(多重)图形光刻、光刻等等。